规格书 |
|
Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 |
1,000 |
FET 型
|
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 |
Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) |
75V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C |
100A |
Rds(最大)@ ID,VGS |
6.5 mOhm @ 80A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id |
2V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS |
246nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 |
5400pF @ 25V |
功率 - 最大 |
300W |
安装类型
|
Surface Mount |
包/盒
|
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商器件封装 |
PG-TO263-3 |
包装材料
|
Tape & Reel (TR) |
包装 |
3TO-263 |
通道模式 |
Enhancement |
最大漏源电压 |
75 V |
最大连续漏极电流 |
100 A |
RDS -于 |
6.8@10V mOhm |
最大门源电压 |
±20 V |
典型导通延迟时间 |
19 ns |
典型上升时间 |
56 ns |
典型关闭延迟时间 |
85 ns |
典型下降时间 |
22 ns |
工作温度 |
-55 to 175 °C |
安装 |
Surface Mount |
标准包装 |
Tape & Reel |
FET特点 |
Logic Level Gate |
封装 |
Tape & Reel (TR) |
安装类型 |
Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C |
100A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id |
2V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) |
75V |
供应商设备封装 |
PG-TO263-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS |
6.5 mOhm @ 80A, 10V |
FET型 |
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 |
300W |
封装/外壳 |
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
输入电容(Ciss ) @ VDS |
5400pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS |
246nC @ 10V |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
安装风格 |
SMD/SMT |
产品种类 |
MOSFET |
晶体管极性 |
N-Channel |
配置 |
Single |
源极击穿电压 |
+/- 20 V |
连续漏极电流 |
100 A |
系列 |
IPB100N08 |
RDS(ON) |
6.5 mOhms |
功率耗散 |
300 W |
最低工作温度 |
- 55 C |
零件号别名 |
IPB100N08S2L07ATMA1 SP000219053 |
上升时间 |
56 ns |
最高工作温度 |
+ 175 C |
漏源击穿电压 |
75 V |
RoHS |
RoHS Compliant |
下降时间 |
22 ns |
工厂包装数量 |
1000 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage |
75 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage |
1.2 V |
宽度 |
9.25 mm |
Qg - Gate Charge |
246 nC |
Vgs - Gate-Source Voltage |
20 V |
品牌 |
Infineon Technologies |
通道数 |
1 Channel |
商品名 |
OptiMOS |
晶体管类型 |
1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current |
100 A |
长度 |
10 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance |
6.5 mOhms |
身高 |
4.4 mm |
Pd - Power Dissipation |
300 W |
技术 |
Si |